西部數(shù)據(jù)：在座的各位都是垃圾！HC570 22T CMR垂直機械硬盤評測

大家好我是錢韋德，經(jīng)過一年左右的時間，西數(shù)這塊最大容量的CMR硬盤，它的單TB價格終于來到了合理的區(qū)間，所以我覺得也是時候做一下測試，來看一看這塊傲視整個機械硬盤行業(yè)的HC570，到底表現(xiàn)如何。

先看外觀。西數(shù)氦氣盤的包裝和空氣盤不一樣，氦氣盤是這種塑料袋子，空氣盤則是鋁袋子。

我們直接拆后看正面。和其他的HC系列都大同小異，上方是大大的容量標識和系列名稱，右邊是出廠日期。下方是型號WUH722222ALE6L4，產(chǎn)地是泰國，具體的供電信息等下我們看手冊。

側(cè)面和背面都是上下兩組螺絲固定位置，這和我們家用的機械硬盤有著非常大的不同，富哥們在購買的時候需要注意，雖然你們可以重新買一個機箱，但是會耽誤你們的時間，讓你們心情不好。

好了，我們看看具體的參數(shù)吧。滿容22TB，10碟20頭，單碟容量為2.2TB，和HC560一樣。

性能方面，緩存大小512MB、轉(zhuǎn)速7200RPM，最大的傳輸速度是291兆每秒，這個等下我們測試一下看看即可。

可靠性方面，平均無故障時間為250萬小時，年度故障率為0.35%、保修時間為5年，沒有一點點意外和驚喜，都是頂級的企業(yè)級氦氣盤的標準。

這里有個比較重要的細節(jié)，加載和卸載的循環(huán)次數(shù)為60萬次，但是后面加了一個溫度：40攝氏度，我對40攝氏度這個溫度比較敏感啊，因為這是他們建議的最佳可靠性溫度。

那么其他還有40攝氏度的相關描述嘛？有的。我們打開手冊可以發(fā)現(xiàn)，該驅(qū)動器在40攝氏度的環(huán)境中，可以承受至少5萬次的啟動停止循環(huán)，而在工作范圍內(nèi)的極端溫度或濕度下，這個循環(huán)的次數(shù)只有1萬次，所以大家知道自己的機械應硬盤該保持在多少溫度了吧？

供電要求方面，最大供電需求出現(xiàn)在運行時候的瞬時，功率為29.05瓦，啟動功率則為28.15瓦，對于10碟20磁頭的盤來講，這個功耗不算高。

那么我想大家都等不及要看看這塊盤的性能表現(xiàn)了是吧，走起！最大順序速度為290.4MB/s，平均為223.8MB/s

順序?qū)懭刖鸵钜恍┝耍畲笏俣葹?77.1MB/s，平均為219.8MB/s。

但是由于單碟密度為2.2TB，相比于單碟2TB的HC550 18T，無論是讀取還是寫入，速度都要快一些。

隨機性能方面，512字節(jié)、4K、64K和1MB的讀寫性能測試如圖。

我們大部分玩機械硬盤的是不太關注這個隨機性能的，所以即便是企業(yè)級，相比固態(tài)也是慘不忍睹，因為優(yōu)勢根本不在這里。不過我這次倒是測試了一下4K寫入的穩(wěn)定性。

使用IOmeter寫入100% 4K 15分鐘，我們可以看到浮動區(qū)間還是不大的，整體都保持在5兆到4兆之間，過低的幾個點大部分是因為系統(tǒng)的干擾。

HC570的溫度表現(xiàn)也比較出乎我的意料，室溫30度的情況下，15分鐘的100% 4K寫入之后，溫度只是來到了42度

雖然我是放在開放式環(huán)境中測試的，但是沒有風扇輔助散熱，和裝在NAS機箱里有風扇的環(huán)境差不多。所以雖然是22T容量的10碟盤，但是可以算得上是一塊比較涼快的硬盤。

HC570和HC560一樣，采用了OptiNAND技術，這也是和HC550以及之前的系列不一樣的地方

看過我HC560那一期視頻的朋友應該知道，西數(shù)加入的這個NAND閃存，并不是和之前的混合硬盤一樣的分層存儲的原理，而是將機械硬盤的元數(shù)據(jù)，從盤片轉(zhuǎn)移到了NAND閃存中，從而獲得了一些額外的特性。

元數(shù)據(jù)簡單來講就是描述數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)，比如數(shù)據(jù)存儲的地址信息這類，通過將這類頻繁訪問的數(shù)據(jù)放入到性能更強的NAND中，從而可以一定程度上提升速度和數(shù)據(jù)存儲的密度。

另一個顯著的好處就是不怕突然斷電導致丟失數(shù)據(jù)了，原理是這樣的，我們之前的機械硬盤會開啟寫緩存，寫緩存是DRAM顆粒，所以斷電后數(shù)據(jù)就沒了，但是你不開啟的話就會導致性能損失很大，所以是一項非常糾結(jié)的技術。

而OptiNAND出現(xiàn)之后，由于NAND閃存的存取速度極快，所以DRAM中的數(shù)據(jù)可以在極短的時間內(nèi)存儲到NAND中，從而就保證了即便是突然斷電，也不會導致數(shù)據(jù)的丟失

所以在HC560和HC570這類擁有OptiNAND技術的硬盤中，我們已經(jīng)不需要再關心是否開啟寫緩存了。

所以總的來講，能做到單碟2.2TB，加入NAND緩存這一步是非常關鍵的，隔壁就還是卡在單碟2TB。這也造就了西數(shù)目前至少在容量上，是做到了領先的水平，并且價格也并沒有貴多少，所以這算是西數(shù)一次比較有用的技術革新吧。